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2-2013289-1 产品类型特性:
插座形式 = SO DIMM
DRAM类型 = 双倍数据速率 (DDR) III
PCB 安装方式 = 表面贴装式
模块方向 = 水平式
2-2013289-1 电气特点:
DRAM 电压 = 1.5 V
2-2013289-1 端接特性:
插入形式 = 凸轮推入
2-2013289-1 主体特性:
插座端子类型 = 内存卡
排间距 (mm [in]) = 8.20 [0.322]
弹出器类型 = 锁扣式
弹出器位置 = 两端
锁扣材料 = 不锈钢
插销镀层 = 锡
定位柱 = 有
2-2013289-1 触点特性:
触点区域镀层 = 薄金
端子材料 = 铜合金
2-2013289-1 壳体特性:
间距 (mm [in]) = 0.60 [0.024]
壳体材质 = 耐高温热塑性材料
壳体颜色 = 黑色
2-2013289-1 配置特性:
位数 = 204
叠层高度 (mm [in]) = 5.20 [0.205]
排数 = 双
中心键 (mm [in]) = 偏移左
键数目 = 1
行业标准:
符合RoHS/ELV标准 = 符合RoHS标准, 符合ELV 标准
无铅焊接制程 = 回流焊最高可达245°C, 回流焊最高可达260°C
RoHS/ELV 符合记录 = 一直符合 RoHS
标识标记:
键位 = 标准
2-2013289-1 操作/应用:
应用类型 = DDR 3 SO-DIMM
2-2013289-1 包装特性:
包装方式 = 卷上压花
其他:
品牌 = 泰科电子公司
注释 = 带浮动页。
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